技术指标
反应室数量：单室;
极限真空：5.0x10-5Pa(环境湿度≤55%);
刻蚀材料：Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4等;
刻蚀速率：50-100 nm/min;
刻蚀均匀性：≤±5%;
反应室规格：φ300x110mm;
电极尺寸： φ200mm;
样品尺寸：6吋单片或小于3吋多片;
功率源：射频电源RF1000W一套;功率范围在50-1000W连续可调。
气路系统：四台质量流量控制器控制四路进气（氧气、氩气、SF6、CHF3）
真空测量：复合真空计一台，测量范围:1.0x10-5~1.0x10-6Pa；
恒压系统：薄膜规一个，可调节阀一套。
 
产品介绍
适用于常规尺寸样片(不超过φ6-8英寸)的刻蚀，可刻蚀的材料主要有SiO2、Si3N4、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、ITO、AZO、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻蚀速率快、重复性好等优点。