让“中国芯”梦想更进一步--中国真空学会副理事长彭练矛院士
时间：2020-06-12阅读次数：1994次来源：小牛加速器app
中国在硅基芯片上的落后态势，有可能在未来的碳基芯片上得以改观。2020 年 5 月 22 日，北京大学电子学系彭练矛院士和张志勇教授团队在《科学》杂志发表《用于高性能电子学的高密度半导体碳纳米管平行阵列》论文，介绍了该团队最新发展的多次提纯和维度限制自组装方法。
据了解，该方法可以在四英寸基底上，制备出密度高达 120 / 微米、半导体纯度超过 99.9999%、直径分布 1.45±0.23nm 的碳纳米管（以下简称“碳管”）平行阵列，并在此基础上，首次实现性能超越同等栅长的硅基 CMOS 技术的晶体管和电路。这一成果，也将为碳基半导体进入规模工业化奠定基础。
